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IRF7501中文资料

IRF7501图片

IRF7501外观图

  • 大小：143.37KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
  • 典型关断延迟时间：15 ns
  • 典型接通延迟时间：5.7 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：5.3 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds：260 pF V @ 15
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：3mm
  • 封装类型：微型
  • 尺寸：3 x 3 x 0.86mm
  • 引脚数目：8
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1250 mW
  • 最大栅源电压：±12 V
  • 最大漏源电压：20 V
  • 最大漏源电阻值：0.135
  • 最大连续漏极电流：2.4 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：2
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双、双漏极
  • 长度：3mm
  • 高度：0.86mm

IRF7501供应商

更新时间:2023-01-09 06:41:07
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